Brett Perry（投资者关系）
Chris Allexandre（总裁兼首席执行官）
Todd Glickman（首席财务官兼财务主管）
Kevin Garrigan（Jefferies）
Kevin Cassidy（Rosenblatt Securities）
Quinn Bolton（Needham & Company, LLC）
Jonathan Tanwanteng（CJS Securities）
Jack Egan（Charter Equity Research, Inc.）
Richard Shannon（Craig-Hallum Capital Group LLC）
下午好，欢迎参加纳微半导体2025年第四季度财务业绩电话会议。[操作员说明]在今天电话会议结束时，将提供问答环节的说明。[操作员说明]提醒一下，本次电话会议于今天，即2026年2月24日（星期二）进行录制。
现在，我想将会议转交给Shelton Group投资者关系部的Brett Perry。Brett，请讲。
谢谢，操作员。下午好，欢迎参加纳微半导体2025年第四季度财务业绩电话会议。参加今天电话会议的有纳微半导体总裁兼首席执行官Chris Allexandre以及首席财务官Todd Glickman。
我想提醒听众，今天公布的业绩是初步的，因为它们有待公司完成结账程序以及公司独立注册公共会计师事务所的常规季度审核。因此，这些业绩未经审计，在公司提交截至2025年12月31日的10-K表格之前可能会有修订。此外，管理层的准备发言包含前瞻性陈述，这些陈述存在风险和不确定性，管理层在回答您的问题时可能会发表其他前瞻性陈述。
因此，公司主张受1995年《私人证券诉讼改革法案》中包含的前瞻性陈述安全港条款的保护。实际结果可能与今天讨论的结果不同，因此，我们建议您参考公司向美国证券交易委员会提交的文件中关于风险和不确定性的更详细讨论，包括10-K表格和10-Q表格。此外，关于公司未来业绩的任何预测均代表管理层截至今天，即2026年2月24日的估计。纳微半导体不承担未来更新这些预测的义务，因为市场状况可能会或可能不会发生变化，除非适用法律要求。
此外，在公司的新闻稿和本次电话会议期间的管理层声明中，将包括以GAAP和非GAAP术语对某些指标和财务信息的讨论，公司新闻稿中包含GAAP与非GAAP项目的定义和调节，提供了更多细节。
对于那些目前无法收听整个电话会议的人，会议录音将通过网络广播在纳微半导体网站（www.navitassemi.com）的投资者关系部分提供，为期90天。现在，我很荣幸将电话转交给纳微半导体总裁兼首席执行官。Chris，请讲。
下午好。感谢大家今天参加我们的会议。我很高兴作为纳微半导体首席执行官主持我的第二次季度电话会议。我们以富有成效的第四季度结束了这一年，我们继续加速向Navitas 2.0转型，并调整整个组织的重点，以专注于解决高功率市场。事实上，自从我加入公司的这五个月以来，我感到充满活力，我对我们行业领先的GaN和高压SiC解决方案的信心更加坚定，并且我们的战略转型正走在将公司成功扩展到下一个水平的正确道路上。
在提供本季度的具体评论和更新之前，我想简要重申我们之前传达的战略转型的几个关键要素以及我们对所谓的Navitas 2.0的愿景。首先，我们正在加速从公司历史上的移动和低端消费业务转向，专注于高功率市场，在这些市场中，我们的GaN和高压SiC产品可以通过更高的密度、效率和可靠性提供真正的差异化和价值。
我们专注于四个高增长、高价值的市场领域：AI数据中心、能源和电网基础设施、高性能计算以及工业电气化。到2030年，这些领域共同代表着35亿美元的可服务目标市场，GaN和高压SiC大致各占50%，综合年复合增长率超过60%。
尽管这35亿美元目标市场的最大部分位于AI数据中心和电网能源基础设施，但我想强调的是，AI是我们四个目标市场的共同潜在催化剂，在基础设施重新架构、客户期望以及新高压技术的采用方面推动着快速加速。
我们利用我们作为GaN规模化先驱的10年成熟记录，已出货超过3亿个GaN器件，再加上在系统和应用方面的深厚专业知识，以及通过我们的GeneSiC技术在高能、高压SiC领域的领先地位。Navitas 2.0战略转型的最终目标很明确：快速渗透、确保扩大客户参与并实现规模化，从而为纳微半导体带来更可持续、一致且未来可盈利的增长。
转向我们第四季度业绩的简要回顾。作为我们向Navitas 2.0转型的初步进展，我们已经完成了整个组织的重组，无论是在技能还是地理方面，以专注于解决高功率市场。这包括相应地全面重新部署组织资源、路线图和重点。第四季度的收入达到了我们指导范围的高端，为730万美元，同时第四季度是高功率市场首次占我们总收入的大部分。我们仍然相信第四季度是底部。
值得注意的是，我们的移动业务从第三季度占收入的大部分环比下降到第四季度占总收入的不到25%。我们预计移动业务占季度收入的百分比将继续下降，并在26年底变得微不足道。同样与我们上一季度的评论一致，我们指导第一季度环比增长，并预计在整个26年将继续环比增长，这得益于高功率市场销售 traction的增加。
在过去的几个月里，作为我与客户和合作伙伴扩大会议的一部分，我看到了许多新技术采用正在加速的证据。AI是催化剂，正在改变各个市场的游戏规则。现有技术和架构已不再足够。该行业在技术采用方面比以往任何时候都发展得更快，客户显然正在采取行动利用GaN和高压SiC技术。如前所述，AI是推动我们所有四个目标高功率市场高功率解决方案采用势头和扩大采用的主要催化剂。
与客户的每一次互动都证实市场正在经历长期变化，而AI正在引发一场我们专注的革命。这种即将到来的架构、设计和技术采用的拐点对GaN和高压SiC极为有利，使Navitas 2.0处于这场革命的中心。正如我们上次电话会议中所述，Navitas 2.0向高功率公司的转型得到果断行动的支持，并基于四大支柱，包括市场 focus、技术领先、运营效率和财务纪律。
现在，让我与您一起回顾自上次财报电话会议以来我们在每个领域取得的可衡量进展。从市场 focus开始。正如我 earlier提到的，我们专注于AI数据中心、能源和电网基础设施、高性能计算以及工业电气化的高功率市场。特别是在AI数据中心，纳微半导体作为GaN和高压SiC的领导者之一，处于独特地位，支持所有主要的AI数据中心架构。
计算功率的密度需要更高的效率和功率密度，这正在推动下一代数据中心中GaN的加速应用。在本季度，我们加速了针对AI数据中心、800伏HVDC和48伏IBC HV降压架构的100伏GaN和650伏GaN产品和解决方案的样品交付。目前有不同封装类型的样品可供使用，并且正在接受十多家客户的评估。
最近，在2月9日，我们宣布了突破性的10千瓦DC-DC设计平台。这是一个全GaN、10千瓦、800伏至50伏的DC-DC平台，它采用先进的650伏和100伏GaN晶圆单元，采用三电平半桥架构并具有同步激活功能。该平台实现了98.5%的峰值效率，我们认为这是迄今为止行业内的最佳水平。这种全砖封装设计平台实现了领先的功率密度，并支持AI数据中心的正负400伏VDC标准。
这是纳微半导体如何利用我们10年GaN和系统专业知识的一个很好的例子。我们正在为可扩展、高性能的AI基础设施设定基准。我们的产品组合实现了前所未有的功率密度，以支持AI数据中心的快速、大规模扩展，同时也允许超大规模企业和OEM能够最大限度地提高计算密度并减少能量损失，以支持部署下一代AI工作负载。
在SiC方面，我们非常积极地支持客户使用我们最新的1.2千伏SiC器件进行当前AI数据中心架构的AC-DC PSU设计，利用我们本月早些时候宣布的最新第六代GeneSiC技术。该产品带来了改进的品质因数和同类最佳的热性能，顶部冷却D2PAK封装受到客户的好评。
在电网和能源基础设施市场，能源电网正在进行重大转型和现代化，以支持AI催化剂，同时也支持能源需求的整体增长。这不是一个短周期，而是一个将改变电网和能源基础设施的数十年、长期且可持续的趋势。因此，我们也看到这里的设计周期在加速。
我们通过新的超高压2.3千伏和3.3千伏SiC模块引领这一努力，并计划向更高电压发展。我们现在正在与全球50多家OEM进行评估，主要在美国和欧洲，美国的评估速度明显加快。在高性能计算方面，我们继续看到GaN在高端计算和AI笔记本电脑的高功率充电器和电源单元中取代硅的采用率增加。我们与全球领先的计算公司在170瓦、200瓦、250瓦、240瓦以及高达360瓦的产品上有超过15个项目处于生产中，大约两倍于此数量的项目处于设计中。我们预计在整个2026年，高性能计算市场的势头将继续增强。最后，在工业电气化方面，我们开始看到GaN和高压SiC在高性能应用中的 traction，涵盖工业泵和AV设备电气化，如DC-DC转换器和兆瓦级充电器。
转向我们的第二个支柱，技术领先。我们继续优先考虑GaN和高压SiC技术的创新，包括产品和解决方案，并得到不断扩大的客户参与和联合开发项目的支持。这种创新和系统专业知识的一个例子是我之前刚刚讨论过的突破性10千瓦DC-DC平台。另一个亮点是我们在上个季度宣布的2300伏和3300伏超高压SiC模块产品组合，我们已经加速向更多客户提供样品。这些模块采用专有的沟槽辅助平面技术，用于AM可扩展性、雪崩稳健性以及在并网基础设施、储能和兆瓦级快速充电等关键任务应用中的性能。
这些产品有SiCPAK、G+功率模块、分立封装和已知良好芯片（Known Good Die）格式，并经过扩展的AEC-Plus可靠性测试。如前所述，我们上周宣布了我们的第五代技术和即将推出的新1.2千伏SiC D2PAK产品，目标是AI数据中心的PSU AC-DC。我们的新第五代SiC技术继续改进我们领先的第六代技术的品质因数。它利用我们的沟槽辅助平面（TAP）架构、同类最佳的热性能以及D2PAK中的顶部冷却。我们现在正在向多家OEM和ODM提供我们首批新的1.2千伏第五代SiC产品样品，这些客户正在为AI数据中心设计高功率PSU和AC-DC。
关于我们的第三个支柱，运营效率，我们已采取可行措施创建一个更精简和重新平衡的地理SiC部署组织。我们得到了员工的大力支持，并从这些努力中获得了切实的好处。此外，在11月20日，我们很高兴宣布与GlobalFoundries建立长期战略技术和制造合作伙伴关系，以加速美国的GaN技术设计和制造。这种合作关系为我们的目标高功率市场提供了安全、可扩展的解决方案，并确保纳微半导体能够提供客户需求的性能、效率和规模。它还为纳微半导体提供了在美国制造用于关键和国家安全应用的解决方案的机会。
开发工作在几周前开始，两家公司正在深入合作，预计生产将在今年晚些时候开始，并在2027年加速。随着时间的推移，我们预计将过渡到8英寸，以降低产品成本并提高规模。此外，在本季度，我们执行了重组和优化我们的上市战略的行动。这包括将分销渠道合作伙伴从大约40家大幅整合到不到10家。我们有能力扩展，非常适合服务高功率市场，同时移除以前以移动为中心的分销商。
我们的第四个支柱，财务纪律，集中在资源重组以支持我们对高功率市场的 focus。这包括第四季度19%的有针对性的裁员，同时通过重组行动支持Navitas 2.0的转变，包括招聘具备高功率市场能力的新员工，特别是在美国境内。正如我们第四季度的收入结构所证明的那样，我们取得了巨大进展。我们还引进了在销售和营销、研发以及运营方面具有技能的新的额外领导者，重点是实现更强的执行力。这些集体行动将整个公司的 focus 放在高功率市场上，并为未来高效和有效的执行提供了基础。
即使市场机会更大，我们的资源重组也使我们能够有效地将季度支出 focus 在高功率市场上。因此，我们的目标是在未来一年保持运营费用持平。我们还预计，通过提高高功率业务的规模和组合，在整个2026年实现毛利率的逐步扩张。
最后，为了进一步加强我们的资产负债表并为未来运营提供资金，我们在11月完成了普通股的私募，净收益约为9600万美元，使季度末现金余额达到2.37亿美元。这笔收益进一步支持我们的Navitas 2.0战略，加速我们的转型，并为可扩展增长和长期价值创造提供营运资金。
最后，我对我们在相对较短的时间内取得的总体进展感到非常满意。速度是我们公司文化的基本要素，并且显然在发挥作用。我们将Navitas 2.0定位为一家高功率公司，加强我们的 focus 和执行力，以实现可扩展增长。展望未来，我们预计从第一季度开始收入恢复环比增长，这得益于高功率市场收入的增加。结合我们优化的成本结构、精简的上市方法和加速的产品路线图带来的好处，我们也有望在未来一年实现毛利率和底线业绩的逐步改善。我为团队为实现Navitas 2.0愿景所付出的奉献、努力和敏捷性感到无比自豪。我还要感谢我们的客户对我们新战略方向的支持，以及对互利合作伙伴关系的持续贡献。
现在，我将电话交给Todd，由他回顾我们的第四季度和全年业绩，以及我们的第一季度指导。
谢谢，Chris。在我今天的评论中，我将带您了解我们2025年第四季度和全年的财务业绩，然后我将带您了解一些重要的第四季度成就和市场动态，以及我们对2026年第一季度的展望。然后在我们接受提问之前，我会将其交还给Chris进行最后的评论。
2025年第四季度的收入超出指导范围的高端，为730万美元，而2025年第三季度为1010万美元。正如预期的那样，本季度的收入反映了我们战略性地优先考虑低功率、低利润的中国移动和消费业务，以及我们精简分销网络以调整我们对高功率市场 focus 的努力。
正如Chris所提到的，高功率市场首次在公司历史上占我们季度收入的大部分，移动业务下降到不到25%。这是一个非常重要的里程碑，代表了我们的战略转变。如前所述，我们认为第四季度是收入的底部，因为我们的战略行动支持未来高功率业务贡献的增加。
在讨论毛利润和费用之前，我想请您参考我们新闻稿中的GAAP与非GAAP调节。在我其余的评论中，我将参考非GAAP指标。我还想指出，我们第四季度的GAAP业绩包括1660万美元的重组和减值费用，其中包括约1000万美元的分销合同终止、400万美元的固定资产减值以及200万美元与整个组织和分销渠道重组以专注于高功率市场相关的 workforce 减少费用。在本季度1660万美元的重组和减值费用中，380万美元是非现金相关项目。
第四季度的毛利率为3870万美元，与上一季度持平，反映出尽管季度收入较低，但我们仍能保持利润率。在这些收入水平下，我们还没有足够的杠杆来克服固定成本。但随着我们进一步增加高功率市场的收入，我们预计这将有所改善。正如我们在上次财报电话会议中提到的，随着我们转向高功率市场，远离移动和低端消费，我们预计将实现利润率的扩大。
在第四季度，我们执行了19%的 workforce 减少，主要部署在移动和消费领域，并进行了组织重组，以面向美国高功率客户和市场，从而将运营费用从1540万美元环比减少到1490万美元。这是我们将公司资源重组以适应Navitas 2.0 focus 的战略计划的一部分。运营费用包括680万美元的销售、一般及管理费用和810万美元的研发费用。这些费用水平符合我们的成本削减目标。2025年第四季度的运营亏损为1210万美元，而2025年第三季度为1150万美元，因为运营费用的减少未能完全抵消收入的下降。我们第四季度的加权平均股数约为2.22亿股。
2025年全年收入为4590万美元，而2024年为8330万美元。全年毛利率为38.4%，去年为40.4%。2025年运营费用为6360万美元，而2024年为8340万美元。全年运营亏损为4600万美元，而去年为4970万美元。正如Chris所提到的，第四季度是季度收入的底部，我们预计在整个2026年随着我们继续向高功率市场转型，收入将恢复环比增长。
转向资产负债表。应收账款从第三季度的980万美元降至360万美元，将我们的DSO（应收账款周转天数）降至45天。库存从上一季度的1470万美元降至1330万美元。季度末的现金及现金等价物约为2.37亿美元，反映了2025年11月完成的普通股私募的净收益约9600万美元。公司继续没有债务。我们的资产负债表在年底保持非常强劲，具有高水平的流动性和改善的营运资金状况。
转向2026年第一季度的指导。我们预计收入将环比增长至800万至850万美元之间。这是公司转型以来的首次季度环比增长。正如我刚才提到的，我们预计在整个一年中继续环比增长，这得益于高功率市场收入贡献的增加。第一季度的毛利率预计为38.7%，上下浮动25个基点。我们继续预计，为高功率、高增长市场带来的技术创新将导致未来毛利率的逐步扩张。
转向运营费用。我们预计第一季度的运营费用保持在约1500万美元。我们预计将继续分配资源和费用，因为我们将公司资源重新部署到更高功率的客户和市场，特别是在美国境内。这种资源的重新部署预计将抵消我们设施的战略性缩减，从而导致运营费用持平。对于第一季度，我们预计加权平均股数约为2.3亿股。
最后，我们对向Navitas 2.0的初步进展和加速转型感到满意，高功率产品首次占我们季度收入的大部分就证明了这一点。我们预计将越来越多地受益于我们的GaN和高压SiC产品在目标高功率市场的广泛采用。加上我们最近重新分配资源、优化运营效率和重组分销渠道的行动，我们相信纳微半导体正走在实现利润率和底线业绩改善的道路上。
现在，我想在开放电话提问之前将电话交还给Chris进行一些最后的评论。
在结束今天的电话会议时，我想再谈一个问题。在10年的杰出服务之后，Todd决定辞去首席财务官一职，去追求其他机会。他一直是公司每个人的宝贵合作伙伴，带来了财务纪律、战略洞察力和正直品格，帮助我们度过了增长和挑战时期。在过去的六个月里，Todd也是一位伟大的合作伙伴，帮助公司转向和过渡到Navitas 2.0。我代表整个董事会和执行团队，感谢他在过去十年中的所有贡献。我们拥有强大的财务组织，Todd完全致力于在他的继任者确定之前协助无缝过渡。我们预计在未来几周内就Todd的继任者和纳微半导体的新首席财务官进行沟通。我们带着对我们战略、势头以及继续为股东创造长期价值的能力的信心进入这个新篇章。再次感谢大家今天参加我们的会议。
操作员，现在可以开始提问环节了。
谢谢。我们现在开始问答环节。[操作员说明]谢谢。第一个问题来自Jefferies的Kevin Garrigan。您的线路已接通。
是的。嘿，Chris和Todd。恭喜取得的业绩。Todd，祝你在新的道路上一切顺利。嘿，你们能给我们介绍一下第四季度每个高功率终端市场的表现如何，以及我们应该如何看待第一季度这些市场的发展轨迹吗？
是的。显然，我们收入的环比增长是由于高功率市场，所以它们表现良好。我们目前不会细分高功率市场，但随着移动业务在今年变得无关紧要，我们确实预计所有高功率市场在未来都将表现良好。
好的。明白了。作为后续问题，您能更新一下800伏架构机会的进展吗，您能给我们一个客户决策的时间线吗？
嗨，Kevin，我是Chris。正如我们上次讨论的，我们和超大规模企业之间有很多工作正在进行。不仅仅是一家，而是多家超大规模企业在采用800伏HVDC。正如我们在新闻稿和讲稿中提到的，我们提供了一些将用于这种架构的新产品样品。我们还宣布了一个领先的800伏至50伏DC-DC砖，展示了我们可以通过这些产品获得的性能。因此，合作在继续。现在说何时会确认还为时过早，但我认为我们正越来越接近客户。
好的，太好了。感谢您提供的信息。再次恭喜取得的业绩。
谢谢。Kevin，我想补充的一点是，每个人都将800伏HVDC称为AI数据中心功率内容的一个阶跃函数，这是事实，特别是随着向800伏HVDC过渡时，GaN取代硅，对吧？但我想指出的是，在AI数据中心，正如你从多家供应商那里听到的那样，使用传统架构（即AC-DC）的需求也在加速，使用SiC，我们看到在GaN在HVDC中的阶跃函数之前，全年都有增长。
下一个问题来自Rosenblatt的Kevin Cassidy。您的线路已接通。
感谢您回答我的问题，并祝贺取得的进展。正如您提到的，您正在与超大规模企业合作。您是直接与他们合作吗？他们会自己构建电源，还是会从当前的超大规模企业电源供应商那里采购？
Kevin，实际上是以上所有情况，好吗？超大规模企业在一定程度上推动了新架构，对吧？无论是在AC-DC PSU的密度和功率水平方面，还是在800伏（无论是50伏还是更低电压）HVDC架构方面，他们都有期望。我们不仅仅与超大规模企业合作。如果你考虑PSU，这显然是由为这些超大规模企业服务的OEM和ODM设计的，如果你看HVDC，很多都是为超大规模企业服务的传统商业电源公司，也在设计这种新架构。
我们与所有人合作。我会告诉你，架构的驱动力或变化来自美国和超大规模企业，但台湾、中国以及美国的许多OEM和ODM也在推动这一点。如你所知，我们刚刚宣布了这个开发板，正如我提到的，这基本上是与客户共同开发的。这基本上是为了展示通过在初级侧和次级侧使用GaN在800伏至50伏DC-DC砖中可以获得的效率水平。未来你也会看到更多这样的参考实现。
好的，非常感谢这些细节。您的客户或超大规模企业有没有给您一个他们开始安装的拐点时间？
我的意思是，我想说的是，正如我 earlier 在回答Kevin的问题时所说，AI数据中心的增长有两个方面。第一是更多的数据中心，更多的功率，这推动了更多的PSU，更高功率的PSU，并推动了SiC的增长，这是我们在2026年全年看到的。当谈到800伏HVDC（我认为这是你的问题）时，当出现不连续性，并且你在初级侧不能再使用硅，因为你是800伏，你必须转向高压GaN，这实际上是由GPU变化，而是机架架构变化驱动的。
当你将更多的GPU压缩到单个机架中并达到兆瓦级机架时，你无法用硅获得功率密度和效率，这就是不连续性。我想说，正如我们之前所说，这真的是关于27年[语音]。GaN会稍微早一点被使用吗？有可能。有一种情况是，正如我在讲稿中提到的，你可以在48伏IBC中使用GaN取代硅，GaN带来更高的效率。你可以用硅做到，但你能获得更高的效率。这可能是你第一次在数据中心看到GaN。真正的阶跃函数确实来自800伏DC，这实际上与组合机架有关，也就是27年GPU的更高集成度。
好的。明白了。谢谢。另外，我也向Todd致以最美好的祝愿。很高兴与您合作。
谢谢，Kevin。
下一个问题来自Needham的Quinn Bolton。您的线路已接通。
嘿，各位。恭喜在向Navitas 2.0转型方面取得的进展，Todd，祝你一切顺利。我想，Chris，我想回到800伏HVDC解决方案，特别是当你考虑800伏线路的初级侧时。我认为行业中仍有很多人在谈论在800伏转换步骤中使用碳化硅。你们显然在推动GaN解决方案。但是，我想知道，您从领先的GPU和超大规模供应商那里看到了什么，他们正在关注800伏或400伏±机架架构？他们是更倾向于GaN，还是对GaN和碳化硅解决方案都持开放态度？从GaN和碳化硅之间的技术角度来看，您如何看待这种情况的发展？
谢谢，Quinn。这实际上是一个很好的问题，因为我认为存在一定程度的混淆。首先，我会告诉你，我们没有推动任何东西。我们既有SiC也有GaN，如果需要，我们欢迎SiC在初级侧使用，如果需要，GaN在初级侧使用。我们没有推动任何东西。我们是被拉动的。我们没有看到任何使用SiC在初级侧的重要用例、板级实现或客户评估。正如我提到的，SiC在1.2千伏被广泛用于传统的AC-DC，也就是在800伏DC之前。当谈到800伏DC时，我们被客户（我指的是超大规模企业，回答Kevin的问题）拉动，他们真的在推动GaN的采用，因为它更高效，能带来更高的密度。
那很好。好的。Chris，您还谈到了10千瓦全GaN砖解决方案。您能说明一下，这更多是一个参考平台，还是纳微半导体会考虑采购整个砖级产品？因为我想它包括相当多的额外组件，所以只是想知道如果您销售全砖解决方案，我想这可能会有相当高的美元含量。所以您能谈谈您是否真的只会销售GaN解决方案作为该砖的一部分？您会销售整个砖吗？如果您销售整个砖，对利润率有什么影响？
当然。这是一个很好的问题。谢谢，Quinn。我们将此视为客户的赋能解决方案和赋能技术。首先，正如我提到的，这是我们与客户共同完成的。我们不是在真空中自己做的，对吧？这是我们与领先客户共同开发的，第一。第二，我们不与客户竞争，好吗？在这个阶段，我们没有看到我们要销售模块的路径。该设计与我们的客户、超大规模企业以及正在研究我们如何实现如此高水平效率的ODM和OEM共享，对吧？98.5%，我们相信，根据我们所看到的和一些竞争对手的反馈，以及客户的反馈，这是行业内最好的之一，对吧？
所以我会告诉你，这对我们来说，就像我们在GaN历史上所做的那样。我们通过展示并帮助客户获得最高水平的效率、最低的EMI、最高水平的密度，在移动领域开创了GaN的先河，我们在AI数据中心也在做同样的事情。这就是我在谈论2.0时所说的，我们正在利用1.0的优势和技能，对吧？这种系统专业知识很重要。归根结底，我们的业务是销售GaN和碳化硅并为客户赋能。事实上，在那块板上，我们使用了一些竞争对手的硅以及我们没有的其他技术和产品。但重点是如何展示并帮助客户加速GaN在HVDC中的采用。
非常好。非常感谢你，Chris。
下一个问题来自CJS Securities的Jon Tanwanteng。您的线路已接通。
嗨，下午好。感谢您回答我的问题，我也加入到祝Todd旅途顺利的行列中。如果可以的话，您能先谈谈800伏数据中心供应的竞争格局吗？就您在这些插槽中与谁竞争而言，您看到了什么，他们是在价格上超过您还是在技术上做得更好？最重要的是，您与英飞凌在该领域的合作关系如何发展？谢谢。
所以感谢你的问题，Jon。我从最后开始回答。我们继续与英飞凌合作。如你所知，我们有交叉许可，我们有着相同的愿景，即加速GaN和碳化硅在AI数据中心的采用，对吧？所以SiC用于传统架构，GaN用于800伏DC，对吧？所以在这方面两家公司有很多对话，对吧？
第二，你们都看到有多家供应商被列入800伏AI工厂生态系统。事实上，我认为现在有13家供应商。但我们并没有在我们瞄准的每个插槽中都看到他们。所以我建议你看看这13家中有多少实际上在高压GaN领域，有多少拥有650伏GaN并采用合适的封装能够支持800伏HVDC，有多少拥有中压GaN能够支持50伏次级侧。其中一些被列为硅供应商，好吗？我们被列为GaN供应商。
另一件事是，正如我们也谈到SiC在AC-DC中的使用一样，随着电压升高，对更多SiC的自然拉动，而且在数据中心之外，要实现800伏HVDC，你需要改变电网架构。这是一个纯粹的高压、超高压SiC应用。所以我要告诉你的是，竞争很激烈，但并不是每个人都在竞争同一件事。被列入的供应商中，没有多少同时拥有高压SiC或超高压SiC（无论是在AC-DC中使用1.2千伏还是在电网中使用2千伏及以上）以及高压和中压GaN。所以这个竞争池实际上正在减少。这就是为什么我们非常清楚我们的业务。我们不参与硅业务。我们专注于GaN（高压、中压）以及高压和超高压SiC。
明白了。谢谢。然后第二，您能更新一下800伏数据中心产品或一般高功率产品的增量利润率吗，特别是在您推出新供应商时？
所以首先，正如Todd所说，对吧，我们预计毛利率将持续扩张。所以请记住，今年的增长来自所有高功率市场，基本上移动业务在下降，对吧，占比不到25%。我要告诉你的是，规模将有助于提高毛利率。随着我们收入增长，我们的一些固定成本将被吸收，这将推动利润率扩张。
第二，高功率市场中的高功率产品比移动业务的利润率更高，好吗？而且这种组合将会改变。第三，我们在增加新供应商方面非常积极，特别是在封装方面，这将帮助我们降低成本，对吧？所以我们有多个方面可以确保看到毛利率扩张，正如我们明确概述的26年剩余时间，对吧？随着我们在27年进一步扩大规模，我们预计这种情况将继续。
太好了。谢谢。
[操作员说明]下一个问题来自Charter Equity Research的Jack Egan。您的线路已接通。
太好了。感谢您回答问题。我对我之前的毛利率问题有一个后续问题。随着移动业务变得越来越小，我有点好奇长期前景。您的毛利率更多是由数据中心和非数据中心终端市场的组合驱动，还是更多由Todd提到的技术创新驱动——听起来像是指具有更高ASP的新产品？所以我想我是在试图了解利润率扩张的驱动因素，是终端市场组合还是更好的产品利润率？
所以实际上这将是两者的结合。所以肯定是终端产品组合，对吧？随着移动业务的减少，高功率市场将给我们带来更高的利润率。这些更多是基于可靠性和性能。但是随着我们扩大规模，随着这些新产品进入高功率市场，我们确实预计通过优化工艺、良率和封装成本进一步扩张，这将帮助我们降低产品成本，从而提高利润率。
Jack，我想补充的一点是，好的，规模、成本降低以及基本上更高利润率的产品，对吧，正如Todd所说。但我想说的是，今年的增长，我认为我们已经非常清楚，我们非常有信心第四季度是底部，我们指导第一季度增长，并且我们说我们将在全年实现环比增长并伴随利润率扩张，我想再次强调，增长来自整个高功率市场。
是的，AI数据中心是未来前景的重要组成部分。如果你看一下我们几周前分享的SAM，到2030年，它几乎占我们SAM的一半。但我想指出的是，高性能计算今年正在增长，好吗？它将继续增长，也有助于利润率组合。电网基础设施确实在加速。我认为你将看到更高ASP的产品、更高利润率的产品在那里发挥作用，那里更多的是关于可靠性和性能，而不是成本。当然，成本很重要。
然后，正如我们在AI数据中心谈到的，这是一个对成本敏感的市场，现在一切都与效率有关，好吗？我认为所有这些市场都将为毛利率的增长扩张做出贡献，对吧？所以我只是想稍微校准一下你的问题，以确保我们不会认为毛利率扩张只来自AI数据中心。
当然，Chris。不，这非常有帮助。然后我想，从更高层面来看，我知道您在一些汽车和工业类型市场的供应不多，但碳化硅——广义上讲，经历了一段相当显著的供过于求时期。所以我只是有点好奇，您对其他一些市场的供需何时可能平衡有什么期望，无论是对纳微半导体还是整个行业？我知道您正在处理一些大规模的胜利，所以这可能对您不太适用，但任何评论都会有所帮助。
我的意思是，老实说，Jack[语音]，我认为，首先，作为行业资深人士，我会说这需要一些时间，但我认为你应该向供应电动汽车的供应商提出这个问题。我们不供应。我们不在同一个SiC领域竞争，好吗？你已经看到我非常清楚地表明，我们竞争并专注于1.2千伏用于AI数据中心的PSU，以及2千伏及以上（高达5千伏甚至更高）用于电网。这不是关于供应规模，而是关于你的技术有多可靠、高效和高性能。所以我认为对于一些在450伏、650伏、800伏专注于电动汽车的SiC供应商来说，这是一个合理的担忧。对我们来说，这是关于超高压的规模化，好吗，这在现阶段与供应无关。
明白了。谢谢，Chris。
下一个问题来自Craig-Hallum的Richard Shannon。您的线路已接通。
太好了，各位。感谢您回答我的问题。抱歉有环境噪音，我刚下飞机，错过了电话会议的一部分。所以希望我不会重复任何问题。但是Chris，我想问您的一件事是关于AI数据中心的机会。您的机会在多大程度上来自您的合作伙伴关系，如果你愿意的话，是在英飞凌之后，还是通过其他方式？另外，在机架内的负载点和800伏降压之间是否有任何交叉施肥的胜利？这些是否会相互促进并给您带来额外的好处？
所以——这是一个很好的问题。正如我提到的，我们与英飞凌合作。我们有交叉许可。我们几年前就做到了。我们继续推动合作以促进GaN的采用，包括高压和中压。我会说我们没有利用或受益于英飞凌。你会看到的是——我想我 earlier 从Kevin那里得到了一个问题，你最常遇到谁？我会说是英飞凌，肯定是英飞凌，因为他们有相同的愿景。他们拥有相同的技术，高压GaN、中压GaN以及SiC和超高压SiC用于电网基础设施。所以有很多相似之处。所以我们会遇到彼此。我们会跟随彼此，但我不会说我们利用英飞凌，对吧？有趣的是，当我们发布封装时，我们发现——因为我们与相同的客户交谈，我们以相同的方式思考，我们最终以相同的方式看待技术。这就是我要说的。
关于您的产品组合扩展问题，这是我们正在考虑的事情。我现在的 focus 是让公司转型，好吗，把我们所有的鸡蛋、所有的工程师、所有的 focus 都放在四个高功率市场以及高压GaN和高压SiC上。但我们正在寻找扩展产品组合的机会。随着数据中心电压升高，你将需要电路保护，这是我们未来会考虑的事情，对吧？但现在，我们专注于我们拥有的产品和我们刚刚发布的产品的执行。
好的。很公平。谢谢你，Chris。第二个问题可能是给Todd的，关于毛利率。如果我听懂了他准备发言的结尾，他谈到目前还没有足够的规模来真正推动毛利率的杠杆作用。是否有一个收入水平会出现这种情况？当你开始看到这种轨迹时，边际利润率是多少？
是的。这是个好问题。随着我们的产品组合变化，显然我们的利润率将会增长。但现在，我们存在规模问题。我们确实看到利润率在第二季度及以后开始再次扩张。所以现在这是一个转折点。
Jack[语音]，我要告诉你的是，高功率市场和高功率市场中的高功率产品带来了更高的利润率。移动业务正在下降。我们说过在第四季度，它占25%，并且我们说它将继续下降，并在26年底变得微不足道，对吧？所以我认为我们非常有信心，产品组合的变化、高功率市场中高功率产品占公司百分比的增加以及我们拥有的新产品和成本降低将导致毛利率扩张。所以你会清楚地看到，好吗，从现在开始不久。
好的。感谢这些细节。Todd，祝你在新的事业中好运。谢谢。
最后一个问题来自Needham的Quinn Bolton。您的线路已接通。
嘿，感谢回答那个后续问题。Chris，您花了很多时间谈论800伏数据中心的机会。但您也谈到需要重新架构电网。我只是想知道您能否花一点时间谈论高压碳化硅和固态变压器的机会，您在一些固态变压器的设计过程中处于什么阶段？有没有办法大致估算美元含量机会？我不知道是每兆瓦还是每单位，但有没有办法确定随着电网重新架构，固态变压器中高压SiC的用量？
谢谢，Quinn，这个后续问题。实际上，我很高兴你问这个问题，因为每个人都 focus 在AI数据中心，每个人都 focus 在800伏HVDC架构，这很重要，因为它是架构上的不连续性。它是硅被GaN或高压技术取代，对吧？但如果电网不改变，这一切都不可能。这不仅仅是获得更高效的电网，而是架构的改变。你提到了SST（固态变压器），基本上是从35000伏交流超高功率、高压线路降压到800伏直流，具有最高的可靠性。这推动了变革。我告诉你，我从未见过电网基础设施变化如此之快。
所以你问我，我想我们在讲稿和新闻稿中说过，我们正在加速2.3千伏和3.2千伏的样品供应。应用是任何电网类型的应用，当然是SST，还有电池能源系统、兆瓦级充电器、电网级太阳能农场。所有这些应用都在加速设计，我们正忙于与所有这些客户交谈。这就是为什么我说这是两条腿，好吗？我们有四个高功率市场。但如果我看未来，这两条腿，AI数据中心和电网，同样重要。这是一个纯粹的高压SiC应用。
关于 earlier 关于电动汽车的问题，这不是相同的技术，因为你必须提供高可靠性技术、高可靠性模块。所以这是不同的应用，对吧？所以我很高兴你问这个问题。我们看到设计势头在加速。当然，这需要时间。这比计算的设计周期更长。比AI数据中心的设计周期更长。但我认为你将在27年开始看到显著的收入增长。
关于含量问题，在我们上次投资者会议上，我们基本上提到纳微半导体的总含量为每兆瓦25000美元至35000美元的SAM，这再次基于超高压、高压SiC（1.2千伏和2千伏及以上）以及GaN，其中约10000美元至12000美元实际上在数据中心之外。所以你可以认为25000美元至35000美元中，10000美元至12000美元是数据中心之外的，纯粹是SST、BESS和所有这些应用，对吧？所以——再次，在数据中心内，你在PSU的SiC和向800伏DC过渡的GaN之间有一个份额。但我们不应低估电网基础设施的重要性和潜力。事实上，我们几周前发布了一份详细的SAM分析，显示到2030年，GaN和SiC在我们 earlier 提到的35亿美元潜在市场中各占50%。
你可以看到电网的SAM离数据中心的SAM不远。我想说的另一件事是，这仅仅是个开始。所以如果你考虑电网，这是一个将持续数十年的转型，将不断推动更高的电压。我们从2千伏开始。我们将达到3千伏。我们将达到5千伏及以上。这将在未来数十年推动转型。
非常好。谢谢。
问答环节到此结束。我现在想将电话交还给管理团队进行闭幕发言。
谢谢大家参加这次电话会议。如你所知，我们对取得的进展感到非常自豪。自从我加入公司的前五六个月以来，重点是让公司转型，并明确我们的发展方向。我认为我们已经做到了。我们专注于加速我们技术的样品供应。我们转型的四大支柱，我提到过：市场 focus、技术领先、运营效率和财务纪律。我们将继续向您更新我们的进展情况。我认为我们有光明的未来。
[操作员闭幕词]